日立公司研究晶片背面铜沾污
出处
《现代材料动态》
2003年第10期12-13,共2页
Information of Advanced Materials
-
1杨德仁.硅材料研究进展:从微电子到光伏和光电子[J].国际学术动态,2003(1):19-20.
-
2张伟,杨秋荣,冯利建.硅离子束的沾污及其控制[J].半导体技术,1991,7(5):37-39.
-
3王吉丰,黄锡珉,张志舜,徐叙.Znse：Al电学性能的研究[J].发光学报,1995,16(2):149-152. 被引量：2
-
4松川.半导体设备中的粒子沾污[J].微电子技术,1995,23(2):58-65. 被引量：1
-
5于彩虹.汞退火对分子束外延生长的HgCdTe电学特性的影响[J].红外与激光技术,1993,22(2):56-59.
-
6罗小华,彭景翠.电致发光器件中杂质态的引入对器件性能的影响[J].岳阳师范学院学报（自然科学版）,2002,15(1):34-36.
-
7顾长志,金曾孙.金刚石膜的性质、应用及国内外研究现状[J].功能材料,1997,28(3):232-236. 被引量：32
-
8田东方,李自学.长寿命军用HIC的研究[J].电子元器件应用,2000,2(10):18-20.
-
9半导体技术[J].中国无线电电子学文摘,2005,0(6):27-38.
-
10李洪娣.浅谈半导体特殊的电学性能在实际中的应用[J].数理化学习（初中版）,2009(3):42-45. 被引量：2
;
