摘要
综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺 ,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法 /垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法。对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点 ,并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求。列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题 :热对流与残余热应力问题 ;位错和亚结构问题 ;与晶体生长相关的化学计量问题 ,此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况。
出处
《光机电信息》
2003年第7期11-17,共7页
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