500V0.5A VDMOS功率器件的设计与工艺
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4卞铮,李冰.高压高可靠性VDMOS功率器件钝化膜工艺研究[J].微电子学,2008,38(4):497-501. 被引量：1
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5胡玉松,冯全源,陈晓培.一款600V VDMOS终端结构的设计[J].微电子学与计算机,2014,31(6):129-132. 被引量：8
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8马林宝,顾爱军.功率VDMOS器件用硅外延材料研制[J].电子与封装,2011,11(9):38-42. 被引量：2
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9吴克滂,冯全源,高晓蓉.一款900V VDMOS的VLD终端结构设计[J].电子元件与材料,2015,34(2):43-46. 被引量：4
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10张立荣.高压VDMOS器件的研制及其抗辐照特性研究[J].电子与封装,2013,13(6):33-37. 被引量：2
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