气相合成金刚石薄膜
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1邹广田,于三,金曾孙,吕宪义.半导体金刚石薄膜的制备及性质研究[J].功能材料,1991,22(2):70-73. 被引量:2
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2松一.气相合成金刚石在电子器件上的应用[J].等离子体应用技术快报,1999(3):12-14.
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3宏声.金刚石膜气相合成技术[J].等离子体应用技术快报,1995(12):1-3.
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4冯喜宁,赵建伟,秦丽溶,王萍,贾小亚,杨彩凤.基于氧化镓纳米线的日盲紫外探测器件的制备与性能[J].西南大学学报(自然科学版),2014,36(3):167-171. 被引量:3
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5杨基南,廖佐升,吴京波,魏庆生.用于金刚石薄膜低压气相合成的ECR—PECVD装置[J].微细加工技术,1990(2):22-24.
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6郭广生,任雯,王志华,郭洪猷.实验参数对激光气相法制备纳米Fe/O粒子性能的影响[J].应用激光,2002,22(5):491-493. 被引量:2
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7于三,邹广田,金曾孙.硼掺杂p-型半导体金刚石薄膜的气相合成及其掺杂行为的研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(9):579-584. 被引量:7
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8金桂林,金晓英,张兆奎,陈建华,黄洪成.TEA CO_2激光波长与功率密度对于气相合成SiC超细粉的影响[J].激光杂志,1999,20(5):51-53.
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9张为俊.CO_2激光气相合成团簇及实时检测[J].中国激光,1996,23(5):421-426. 被引量:1
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10李焕勇,介万奇,熊鹏,付红志.一维ZnE(E=S,Se)纳米结构的气相合成[J].稀有金属材料与工程,2007,36(A02):279-282. 被引量:3
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