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一种高精度CMOS能隙基准电压源 被引量：8

A Precise CMOS Bandgap Voltage Reference
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摘要 　设计了一种采用0.6μmCMOS数字工艺的高精度能隙基准电压源。它具有结构简单、性能优异的特点,该电压源主要用于智能电源控制器,其温度系数可达15ppm/°C,输出电压变化率仅为18μV/V。 A bandgap voltage reference using 06 μm digital CMOS process is described The circuit is used for smart power control integrated circuits HSPICE simulation shows that the average drift of the circuit is 15 ppm/°C from -40 °C to 100 °C and 18 μV/V with supply voltages from 6 V to 14 V at 25 °C The circuit features a simple structure and excellent performance
作者 孙顺根 吴晓波 王旃 冀学美 严晓浪
机构地区 浙江大学超大规模集成电路设计研究所
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期157-159,共3页 Microelectronics
基金 国家"八六三"计划资助项目(863-SOC-Y-2-7)
关键词 CMOS 能隙 基准电压源 智能电源控制器 温度系数 电压变化率 CMOS Bandgap Voltage reference
分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN86 [电子电信—信息与通信工程]
  • 相关文献

参考文献4

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  • 3Chin S-Y,Wu C-Y. A new type of curvature- compensated CMOS bandgap voltage reference [J]. VLSI TSA, 1991; 398-402.
  • 4Tham K M, Nagaraj K. A low supply voltage high PSRR voltage reference in CMOS process [J]. IEEE J Sol Sta Circ,1995; 30(5): 586-590.

二级参考文献2

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  • 2Song B S，IEEE J Sol Sta Circ，1983年，18卷，6期，634页

共引文献10

同被引文献24

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  • 3马超,刘永根,薛卫东,张波.一种高温段指数曲率补偿电压基准源[J].微电子学,2007,37(3):436-439. 被引量：9
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引证文献8

二级引证文献12

微电子学
2003年 第2期

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