摘要
评述了半导体量子阱内子带间光跃迁的主要特性以及量子阱红外探测器的物理问题和器件结构特点,介绍了国外在此领域研究的最新进展,讨论了有关子带间跃迁和量子阱红外探测器研究的若干发展趋势.
The main characters of intersubband transitions in semiconductor
quantum wells and the device physics of quantum well infrared photodetectors
(QWIP) are discussed. The most recent advances in this field are introduced. At
last, several trends of studies on intersubband transitions and QWIPs are pre-
dicted.
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第4期317-326,共10页
Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金
国家自然科学基金资助课题
关键词
量子阱
红外探测器
砷化镓
quantum wells, infrared detectors, GaAs.
