改进型PSII—IM全方位离子注入工业样机
出处
《核工业西南物理研究院年报》
2001年第1期133-134,共2页
Southwestern Institute of Physics Annual Report
-
1童洪辉,霍岩峰,陈庆川,冯铁民,穆莉兰,崔西蓉,耿漫.改进型PSII―IM全方位离子注入工业样机(英文)[J].中国核科技报告,2000(1):1167-1177.
-
2尚振魁,耿漫,童洪辉.核工业西南物理研究院的等离子体源离子注入技术研究(英文)[J].中国核科技报告,1998(1):37-50.
-
3冯铁民,霍岩峰.PSII+IBED装置用高压脉冲调制器的几个问题[J].中国核科技报告,2002(1):647-648.
-
4冯铁民,霍岩峰.PSII＋IBED装置用高压脉冲调制器的几个问题[J].核工业西南物理研究院年报,2001(1):114-116.
-
5耿漫,赵青,童洪辉.温度对氮离子等离子体源离子注入（N—PSII）Ti6A14V表面改性影响[J].核工业西南物理研究院年报,2001(1):137-138.
-
6于炯,宫野.全方位离子注入柱形几何碰撞鞘层时空演化数值解[J].计算物理,1997,14(4):674-676.
-
7Reas.,WA,甘德昌.适合于大规模等离子体源离子植入工艺的高压脉冲技术…[J].国外核聚变与等离子体应用,1995(4):68-74.
-
8李义,敬晓丹,冯立强.PSⅡ金属圆管内表面改性中的多脉冲鞘层动力学研究[J].辽宁工业大学学报（自然科学版）,2016,36(6):351-355.
-
9王久丽,张谷令,刘元富,王友年,刘赤子,杨思泽.Influence of ion species ratio on grid-enhanced plasma source ion implantation[J].Chinese Physics B,2004,13(1):65-70.
;
