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Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算 被引量:2

The Band Gap Calculation of Wide-Gap Ternary Compound Nitride Semiconductors in Group Ⅲ-Ⅴ
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摘要 使用简化相干势近似(SCPA)计算了 — 族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于 — 族含氮三元混晶相关常数的计算. The simple coherent potential approximation(SCPA) is developed to calculate the energy band gap Eg of the ternary mixed crystal(TMC) InGaN in group Ⅲ-Ⅴ.The result shows that the SCPA method is better in calculating the coefficients of Nitride TMC in group Ⅲ-Ⅴ.
出处 《内蒙古大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期235-237,共3页 Journal of Inner Mongolia University:Natural Science Edition
基金 国家自然科学基金资助项目(60166002)
关键词 INGAN 三元混晶 SCPA 禁带宽度 InGaN ternary SCPA band gap
  • 相关文献

参考文献1

  • 1S.L. Ban,J.E. Hasbun. Interface polarons in a realistic heterojunction potential[J] 1999,The European Physical Journal B(3):453~461

同被引文献6

引证文献2

二级引证文献4

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