交流薄膜电致发光器件的电容—电压特性
出处
《发光快报》
CSCD
1992年第1期7-9,共3页
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1徐征,雷刚,李岚,华玉林,徐叙瑢.新型交流薄膜电致发光器件的研究[J].光电子技术,1991,11(3):26-30.
-
2廖建勇.电致发光显示器电路系统的研制[J].光电子技术,1995,15(2):146-149.
-
3张铁群,严松涛,刘秀鸾,刘新.降低交流薄膜电致发光器件驱动电压的实验[J].南开大学学报(自然科学版),1998,31(4):109-111. 被引量:1
-
4王祖明,王成.用于交流薄膜电致发光器件的氧化钇绝缘膜的特性[J].光电子技术,1991,11(1):20-22.
-
5赵丽娟,钟国柱,杨宝钧,郑陈玮,赵国璋.用MOCVD方法制备ZnS:Mn交流薄膜电致发光显示器[J].光电子.激光,1996,7(5):263-267.
-
6曾志斌,朱传云,李乐,赵锋,王存达.GaN蓝光发光二极管的负电容现象研究[J].光电子.激光,2004,15(4):402-405. 被引量:11
-
7王祖明.交流薄膜电致发光器件的驱动[J].光电子技术,1989,9(1):8-12.
-
8廖建勇.交流薄膜电致发光显示器灰度产生方法的探讨[J].光电子技术,1993,12(2):66-70.
-
9顾豪爽,赵敏,包定华,李晓萱.金属-铁电薄膜-半导体结构的电容-电压特性理论分析[J].湖北大学学报(自然科学版),1998,20(2):145-148.
-
10翁寿松.硅调频变容管及其应用[J].电子元器件应用,2001,3(7):38-41. 被引量:2
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