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RIG超高阻片式厚膜电阻器

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摘要 RIG超高阻片式厚膜电阻器用96％Al_2O_3基片,高阻浆料以钌酸盐作导电相,烧成温度850℃,烧成周期60min,阻值在1GΩ以上。开发产品主要用于传感器及以场效应管为输入级的高内阻放大器中。

作者张永忠

机构地区上海无线电六厂

出处《电子元件与材料》 CAS CSCD 1992年第1期40-41,共2页 Electronic Components And Materials

关键词片式电阻器厚膜电路电阻值

分类号 TM54 [电气工程—电器]

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电子元件与材料

1992年第1期

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