用催化剂控制硅纳米线直径的研究

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摘要本文研究了固－液－固（SLS）生长机制中催化剂与硅纳米线直径的关系。发现Si片上沉积的催化剂厚度和种类对硅纳米线的直径都有一定的影响，当使用Ni做催化剂时，硅纳米的直径与Ni膜厚度有关。其中硅纳米线的最大直径随催化剂厚度减小而减小，但最小直径基本不改变，当用Au做催化剂时，硅纳米线的平均直径和直径分布最小（10nm-20nm）。但硅纳米的直径不随Au膜厚度减小而减小。

作者邢英杰俞大鹏等

机构地区北京大学电子学系北京大学物理系

出处《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第B12期15-17,22,共4页 Vacuum Science and Technology

关键词催化剂控制硅纳米线直径固-液-固生长机制纳米材料半导体

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TB3 [一般工业技术—材料科学与工程]

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