摘要
生长了 In Ga Asp/In Ga P/In(Al Ga) P材料分别限制应变量子阱半导体激光器 ,发光波长 780 nm。利用电化学 C- V表征材料掺杂 ,掺杂浓度达 10 1 8cm- 1 。利用荧光 PL及 EL表征其光学性质。 PL峰为765 nm。制得 10 0 μm、宽 1m m长条形。测得阈值电流为 3 15 m A,斜率效率超过 1W/A,功率转换可达 40 %左右。注入电流 1.5 A,光功率单管输出达到 1.2 W。
We have developed one separate confinement heterostructure InGaAsp/InGaP/In(AlGa)P laser diode(LD) of 780 nm weavelength,and use electrochemical C V and PL to characterize the materials.PL peak wavelength is 765 nm and EL wavelength is 780 nm.We obtained 100 μm wide stripe,and 1 mm long LD bars.The threshold current is 315 mA,slope efficency can reach above 99 %.Pow er conversion efficiency η reaches above 40 % .When current is 1.5 A ,single LD can achieve above 1.2 W output power.
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第12期1226-1229,共4页
Journal of Optoelectronics·Laser
