摘要
国内新闻 中科院微电子所在EUV光刻方面取得新进展 极紫外光刻(EUVL)技术是实现先进工艺制程的重要途径。LPP-EUV光源是当前极紫外光刻机采用的主流光源,其利用波长为10.6um的红外激光(IR)轰击Sn等离子体释放出EUV辐射,并通过收集镜将EUV辐射会聚到中间焦点(IF)处。冗余的红外辐射进入曝光光学系统会产生热负载,影响光刻系统稳定性和曝光图样质量,因此研究红外辐射抑制技术对保证光刻机性能至关重要。
出处
《中国集成电路》
2025年第8期1-13,共13页
China lntegrated Circuit
