期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

砷化镓p-n结的受激发射

原文传递
导出
摘要 砷化镓的复合辐射具有高的量子效率,因此可以利用半导体p-n结正向注入来获得受激发射。我们在1963年12月31日制成了能产生受激发射的砷化镓激射器,本文报导这类砷化镓p-n结激射器的受激发射的辐射特性,包括谱线的变窄、光束的变窄以及电流达到阈值时辐射强度的陡然增加。还研究了77°K和20°K时,阈值电流的变化。
作者 刘伍林
机构地区 不详
出处 《科学通报》 1965年第1期65-67,共3页 Chinese Science Bulletin
关键词 受激发射 P-N结 激射器 砷化镓
分类号 O475 [理学—半导体物理]
  • 相关文献
科学通报
1965年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部