摘要
文章利用激光分子束外延方法,在单晶Si(100)基片100℃状态下,分别在1.0×10^(-5)Pa、0.1 Pa、1.0 Pa、10.0 Pa氧压条件下上生长了含纳米硅二氧化硅薄膜,利用X射线衍射仪、扫描电镜,研究了不同氧压对含纳米硅二氧化硅薄膜结构的影响。结果表明,低氧压时SiO2(022)衍射峰明显,Si(220)和(311)衍射峰也明显呈现,随着工作气压的升高,薄膜中的硅晶颗粒和SiOx逐渐减少,直至最后都变成SiO2,且薄膜的结晶质量和取向性呈系统性下降趋势,薄膜呈现非晶态,其电输运性能也逐渐下降。
出处
《造纸装备及材料》
2025年第6期80-82,共3页
Papermaking Equipment & Materials
