摘要
在蒸发膜的电性能研究中,膜厚是一个重要数据,为了寻找一个非破坏性测厚的方便方祛,进行了红外干涉法的研究,这方法在硅片外延生长膜的厚度测定中已有不少报道。测定结果得到的是光学厚度即厚度与折光指数的乘积,为了得到αⅠ-酞菁铜蒸发膜的折光指数,作者等采用反射型干涉显微镜从干涉条纹法测定厚度绝对值后,得出αⅠ-酞菁铜蒸发膜在红外区(λ2.5—5.0μm)的折光指数值,并从蒸发膜的面积和称重得到了αⅠ-酞菁铜蒸发膜的视密度。
出处
《科学通报》
1981年第6期343-345,共3页
Chinese Science Bulletin
