多层非晶硅结构研究的新方法——电子显微术

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摘要由非晶硅氢(a-Si:H)和硅氮氢(a-SiN_(x):H)交替超薄层构成的多层结构,是一种二维半导体材料,在物理上,是极为有趣的。更有趣的是,当a-Si:H很薄时,该材料的光隙明显地增加,还发现,电荷载流子从低功函数层向高功函数层流动时产生空间电荷掺杂效应。

作者温树林冯景伟程如光 H.Fritzsche

机构地区中国科学院上海硅酸盐研究所美国芝加哥大学James Franck研究所

出处《科学通报》 1985年第20期1588-1589,共2页 Chinese Science Bulletin

关键词多层非晶硅结构电子显微术 A-SI:H

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科学通报

1985年第20期

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