“第三代半导体功率电子封装技术”专题前言

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摘要以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为首的第三代半导体材料,具有高禁带宽度、高电子迁移率和高热导率等优势,可以显著提升高功率电力电子器件的系统性能和可靠性,实现更高效的能源转换、更快速的数据传输和更强劲的信号传导,在现代电子系统中发挥着关键作用,其应用范围涵盖新能源汽车、光伏储能、电力传输、高速列车以及航空航天等诸多关键领域。根据市场研究机构预测。

作者田艳红

机构地区哈尔滨工业大学

出处《电子与封装》 2025年第3期1-2,共2页 Electronics & Packaging

关键词市场研究机构新能源汽车现代电子系统电力电子器件能源转换航空航天电子封装技术电力传输

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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