摘要
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。功率模块是实现绿色能源转换的重要部件,IGBT是一种综合性能优异的全控型电力电子器件,IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,既具有MOS管的易于驱动、控制简单、开关频率高的优点,还兼备了功率晶体管导通电压低、通态电流大和损耗小的优点,是电力电子器件中的主流产品,已广泛应用于工业、航空航天、国防军工等传统产业领域,以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域,在市场应用中占主导地位。但IGBT作为使用频率最高的电源转换芯片,出现故障的频率也一直很高。本文就IGBT故障失效损坏的机理进行分析研究。
出处
《中国科技信息》
2025年第6期75-77,共3页
China Science and Technology Information
