500V和600V功率MOSFET
出处
《世界电子元器件》
2002年第11期79-79,共1页
Global Electronics China
-
1江兴.500V和600V功率MOSFET[J].半导体信息,2003(3):33-33.
-
2超小封装芯片级MOSFET[J].今日电子,2009(12):64-65.
-
3Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET[J].电源世界,2017,0(2):20-20.
-
4陈力,冯全源.低压沟槽功率MOSFET导通电阻的最优化设计[J].微电子学,2012,42(5):725-728. 被引量:3
-
5具有超低导通电阻的600V功率MOSFET[J].今日电子,2017,0(4):66-66.
-
6Vishay推出最新第4代600V E系列功率MOSFET[J].半导体信息,2017,0(1):10-11.
-
7荆吉利,钱钦松,李海松,孙伟锋.新型高压半超结功率MOSFET的优化设计[J].电子器件,2009,32(1):21-23. 被引量:1
-
8方佩敏.MOSFET继电器G3VM-21LR10[J].电子世界,2009(7):12-13.
-
9尹儒,王颖,胡海帆.栅增强功率ACCUFET的模拟研究[J].半导体技术,2011,36(1):4-7.
-
10赵佶.罗姆发布第二代SiC制MOSFET,可抑制通电劣化现象[J].半导体信息,2012,0(4):11-11.
;