摘要
采用密度泛函理论计算方法,通过施加垂直于表面从外向内的电场,研究了砷化镓(GaAs)光电阴极的场助发射。当电场强度为0.35eV/m-10/e时,功函数下降到接近于零,可实现无Cs光电阴极。该电场强度下,负电荷向表面聚集,正电荷移向体内,价带底向下移动,带隙变窄,导带顶处态密度明显增加,有助于光电发射。吸收系数曲线表明电场促进了光谱响应曲线从可见光向近红外扩展。有效质量、迁移率、弛豫时间等结果表明电场有助于载流子迁移,并延长了参与光电发射的载流子的寿命。场助发射可以简化光电阴极结构,延长光电阴极寿命。该研究提供了一种将阴极集成在芯片上的策略。
作者
金祖德
鱼晓华
JIN Zude;YU Xiaohua
出处
《运城学院学报》
2024年第6期80-85,共6页
Journal of Yuncheng University
基金
山西省基础研究计划(自由探索类)青年项目(202303021212262)
运城学院博士启动基金(2023065)。
