期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

双层铁电薄膜性质的研究 被引量：1

Properties of Two-layer Ferroelectric Thin Film
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 利用推广的Ginzburg-Landau-Devonshire(GLD)理论,研究突变型和缓变型二级相变双层铁电薄膜界面对铁电薄膜性质的影响. By means of the generalized GinzburgLandauDevoshire (GLD) theory, the influence of the interface between two different materials with the second order transition on the properties of ferroelectric thin films with the steptype and slowly varying structures is studied.
作者 张芹 郑植仁
机构地区 吉林大学物理科学学院
出处 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期392-394,共3页 Journal of Jilin University:Science Edition
关键词 双层铁电薄膜 GLD理论 自由能 铁电相变 突变型结构 缓变型结构 ferroelectric thin film GLD theory free energy ferroelectric phase transition
分类号 O484.43 [理学—固体物理]
  • 相关文献

参考文献5

  • 1[1]Auciello O, Scott J F, Ramesh R. The Physics of Ferroelectric Memories [J]. Phys Today, 1989, 51: 22～27.
  • 2[2]Kretschmer R, Binder K. Surface Effects on Phase Transitions in Ferroelectrics and Dipolar Magnets [J]. Phys Rev B, 1979, 20: 1065～1076.
  • 3[3]Wang C L, Zhong W L, Zhang P L. The Curie Temperature of Ultra-thin Ferroelectric Films [J]. J Phys:Condens Matter, 1992, 3: 4743～4749.
  • 4[4]Tan E K, Osman J, Tilley D R. Calculation of Intrinsic Hysteresis Loops of Ferroelectric Thin Films [J]. Solid State Commun, 2001, 117: 59～64.
  • 5[5]Lye-Hock Ong, Junaidah Osman, Tilley D R. Landau Theory of Second-Order Phase Transitions in Ferroelectric Films [J]. Phys Rev B, 2001, 63: 144109-1～144109-10.

引证文献1

二级引证文献2

吉林大学学报（理学版）
2002年 第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部