单分子二维范德华异质结的层间电输运性质

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摘要随着集成电路和芯片的快速发展,电子器件小型化是电子信息产业发展的必然趋势,而这将导致其工艺和研发成本大幅增加,同时会产生热耗散、量子隧穿效应、强电场等一系列技术难题.通过“自下而上”的方式构筑单分子电子器件,是未来集成电路器件小型化进程中重要的潜在选项之一.

作者曾礼娜

机构地区不详

出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2020年第4期445-445,共1页 Journal of Xiamen University：Natural Science

关键词量子隧穿效应电子信息产业单分子电输运性质热耗散集成电路异质结自下而上

分类号 TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]

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