摘要
用Mev的硅、氧离子注入SI-GaAs形成了相互隔离的N-SI-N双导电层结构.6 MeV的Si离子注入半绝缘的GaAs,在950℃5s条件下进行快速退火,可以得到最佳电特性,在表面下2.8μm深处形成n^+深埋层.采用双能量的硅离子注入半绝缘GaAs:6 MeV(1×10^(14)cm^(-2))+80 key(5×10^(13)cm^(-2)),在950℃5s退火,然后用1.2MeV的氧离子注入该样品,注量为10^(10)～10^(11)cm^(-2)时,形成了上、下相互隔离的双导电层,隔离击穿电压为10～20V,该结构在600℃以下是稳定的.
Structure of isolated double conducting layer:sN-SI-N is formed using Si ion implantation at 6 MeV and 80 keV to dose of 1 x 10^(14) cm^(-2) and 5×l0^(13)cm^(-2) respectively and subseqent annealing at 950℃, 5 s in a flash lamp, followed by oxygen implantation at 1.2 MeV to dose of 1×10^(10)～1×10^(11) cm^(-2). The breakdown voltage between the two conducting layers is 10～20V. It is stable at temperature up to 600℃.
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1992年第4期461-466,共6页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
国家自然科学基金
关键词
离子注入
双导电层
砷化镓
硅
MeV ion implantation
GaAs
double conducting layers
