Ⅲ族氮化物材料

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摘要 1Ⅲ族氮化物半导体的研究意义关于Ⅲ族氮化物的研究并不是最近才开始的.由于晶体生长工艺的改进,Ⅲ族氮化物的研究才有了长足的发展.自然界不存在天然的Ⅲ族氮化物晶体,为了制备高质量的单晶,目前普遍采用外延法生长.外延法主要有分子束外延(MBE)、金属有机化学汽相沉积(MOCVD)、氢化物汽相外延(HVPE)等.有了高质量的单晶薄膜,才使相应材料特性的研究及器件的制备成为可能,同时人们对Ⅲ族氮化物也有了进一步的认识.Ⅲ族氮化物优良的特性也越来越引起人们的兴趣.

作者亢勇

机构地区中国科学院上海技术物理研究所

出处《红外》 CAS 2002年第11期1-5,共5页 Infrared

关键词 Ⅲ族氮化物半导体生长工艺物理特性能带结构

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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