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移相掩模技术改进了i-线光刻的分辨率

Improving Resolution in i-Line Lithography by Phase-Shifting Mask Technology

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摘要在目前的64MbDRAM及不久的将来256MbDRAM的研制中,要求能描绘0.5μm以下,即亚半微米的特征尺寸,电子束和x射线光刻已被研究用于这些目的。另外,缩小投影曝光技术由于其适用性广及产量高,也将成为制造具有亚半微米特征尺寸的DRAM的主要方法。

作者钱小工

出处《半导体情报》 1992年第1期53-56,共4页 Semiconductor Information

关键词移相掩模 i线光刻分辨率光刻机

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1992年第1期

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