多晶硅发射极晶体管电流增益的计算机分析

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摘要本文采用较精确的模型,对多晶硅发射极晶体管特有的发射区结构:SiO_2层厚度与位置、准中性发射区厚度、发射极表面浓度等参数对电流增益的影响进行了计算机分析,为这种器件的优化设计提供了有益的数值分析结果。

作者高勇赵旭东余宁梅刘先锋

机构地区陕西机械学院半导体器件教研室

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第5期49-52,48,共5页 Semiconductor Technology

关键词晶体管发射机多晶硅电流增益

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半导体技术

1992年第5期

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