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关于a-Si:H电池稳定性的实验

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摘要本文对辉尤放电法(GD法)制备的非晶硅(a-Si:H)太阳电池样品进行了光致效应的实验,研究其暗电导、光电导及在不同光强、光照温度下的变化规律,较深入地讨论现象和产生机理。

作者王忠安

机构地区廊坊师专物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期17-21,共5页 Semiconductor Technology

关键词非晶硅太阳能电池制造辉光放电

分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]

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半导体技术

1992年第1期

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