化学沉积法制备Pt/n-GaAs肖特基结被引量：1

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摘要本文报导了一种化学镀铂液在n型(N_D=10^(16))单晶GaAs上沉积金属铂制备Pt/n-GaAs肖特基结的方法,由I-V曲线和热电子发射方程,测得其势垒高度和理想因子分别为0.82eV和1.53,文中还讨论了化学沉积机理。

作者张遴绍夏永姚

机构地区吉林大学化学系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期15-16,14,共3页 Semiconductor Technology

关键词肖特基结制备化学沈积 Pt/n-GaAs

同被引文献3

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半导体技术

1992年第1期

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