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Flash存储器并行耐久测试方案研究
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摘要
传统的Flash存储器在擦写耐久测试中存在着效率低的问题,为解决这一问题,提出了Flash存储器并行耐久测试方案,通过试验对Flash存储器芯片的扇形擦写耐久性进行测试,统计了各个扇区的擦写次数以及耐久测试的时间,分析数据可以得出该方案能够有效提升Flash存储器芯片中扇区的测试效率,为企业节省了测试成本。
作者
郭慧莹
机构地区
延安职业技术学院
出处
《科技创新导报》
2019年第11期148-149,共2页
Science and Technology Innovation Herald
关键词
FLASH存储器
并行
耐久
分类号
TP333.8 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
引文网络
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