Pd掺杂γ-Bi_2O_3第一性原理研究被引量：2

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摘要利用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法对未掺杂,Pd掺杂γ-Bi_2O_3晶格参数、电荷布居、能带结构、态密度和光吸收系数进行了计算。计算结果表明:Pd掺杂γ-Bi_2O_3后,Pd的4d轨道发生分裂,Bi6p,O2p轨道与Pd4d轨道复合形成导带,轨道间发生强烈的作用,使能级发生杂化,禁带宽度减小,光吸收边带发生红移。较好的说明了Pd掺杂提高了γ-Bi_2O_3光催化性能的机理。

作者李金格陈召琪孙瑞民

机构地区河北大学电子信息工程学院

出处《山东工业技术》 2018年第17期148-149,共2页 Journal of Shandong Industrial Technology

基金河北省高等学校科学技术研究项目编号:ZD2017008 河北大学大学生创新创业训练计划投资项目编号:2017076

关键词 γ-Bi2O3 Pd掺杂可见光催化第一性原理

分类号 O472 [理学—半导体物理]

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