减压氮保护直拉硅单晶生长被引量：2

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摘要本文报道了在氮气中生长直拉硅单晶的实验结果。探讨了在减压下氮与硅的化学反应。结果表明减压氮气流能消除氧化硅烟尘,并取得无位错单晶的高产率。用本方法生长的低碳硅单晶具有良好电学性能。对单晶的热处理性能进行了研究。晶片经过三步内吸除热处理后可得理想的洁净区。

作者阙端麟李立本陈修治林玉瓶张锦心周晓杨建松

机构地区浙江大学材料系

出处《中国科学（A辑）》 CSCD 1991年第2期215-219,共5页 Science in China(Series A)

基金国家自然科学基金

关键词硅单晶直拉硅单晶减压氮保护

同被引文献4

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中国科学（A辑）

1991年第2期

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