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构建金刚石金属氧化物半导体场效应管的全新概念

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摘要近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使金刚石MOSFET的结构更为简单，降低了制造难度。验证表明，新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提高一个数量级。

出处《新材料产业》 2017年第12期69-69,共1页 Advanced Materials Industry

关键词金属氧化物半导体场效应管金刚石 MOSFET 载流子迁移率宽禁带半导体研究人员耗尽区硼掺杂

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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