期刊文献+

用于可穿戴设备的传感器技术进展

在线阅读 下载PDF
导出
摘要 可穿戴设备简介可穿戴设备平台完美融合了技术创新、生活方式变化和人们对始终联网的强烈需求。可穿戴设备不久将会发展成为人类社会的主流应用,并在我们的工作生活中发挥更重要的作用。因为可穿戴设备能够与眼下流行的保健、健身、通讯和社交等电子产品互联互通,所以穿戴技术市场生态系统得到设计人员的高度关注。智能手表是最受追捧的可穿戴设备,在2016年及以后将会成为穿戴市场的霸主。
作者 Vishal GOYAL
机构地区 意法半导体
出处 《中国集成电路》 2017年第4期81-85,共5页 China lntegrated Circuit
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献7

  • 1SRIVASTAVA N, BANERJEE K. Interconnect challenges for nanoscale electronic circuits [J].J of the Minerals, Metals and Materials Society, 2004,56 ( 10) : 30-31 .
  • 2SHAMIRYAN D, ABELL T, IACOPI F, et al. Low- k dielectric materials [ J ]. Materials Today, 2004,7 ( 1 ) : 34-39.
  • 3JIN C, LIN S, WETZEL J T. Evaluation of ultra-low- k dielectric materials for advanced interconnects [J]. J of Electronic Materials, 2001,30 (4) : 284-289.
  • 4TSU R, MCPHERSON J W, MCKEE W R. Leakage and breakdown reliability issue associated with low-k dielectrics in a dual-damascene Cu process [C]//Proc of IEEE 38th Int Reliability Physics Symp. San Jose, USA, 2000 : 348-352.
  • 5KATO N I, KOHNO Y, SAKA H. Side-wall damage in a transmission electron microscopy specimen of crystalline Si prepared by focused ion beam etching [J]. J of Vacuum Science Technology:A, 1999,17 (4) : 1201-1204.
  • 6ZHENG Y, ZHU W, HUANG T, et al. Plasma enhanced CVD low-k black diamond film formation process for 65 nm technology node [ C ]// Proc of Advanced Metallization Conf. Montreal, Canada, 2003 : 543-547.
  • 7李明,段淑卿,郭强,简维廷.TEM样品制备辅助研究介质层可靠性失效机理[J].半导体技术,2009,34(5):498-501. 被引量:4

共引文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部