摘要
利用射频磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积ZnO-0.25mol%V_2O_5(ZnO∶V)薄膜,研究了O_2/(O_2+Ar)流量比(0%~87.5%)对ZnO∶V薄膜中缺陷的影响。研究结果表明:沉积的ZnO∶V薄膜为具有c轴取向的纤锌矿结构,V以五价和四价形式共存其中。ZnO∶V薄膜中的缺陷态为氧空位(V_O)和间隙锌(Zn_i)杂化形成的复合体,两者比例随O_2/(O_2+Ar)流量比而变化。
ZnO-0.25mol% Vanadium （ZnO： V） thin films were deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering. The type of defects in ZnO： V thin films under different O2/（O2 ＋ Ar） ratios （0%-87.5% ） was investigated. The deposited ZnO： V thin films have wurtzite structure and show c-axis preferred orientation. V4^＋ and V5^＋ ions coexist in the films. The defect in ZnO： V thin films is the complex of V0 and Zni. And the ratio of Vo to Zni changed with the 02/（O2 ＋ Ar） ratio.
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第4期651-656,661,共7页
Journal of Synthetic Crystals
基金
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室开放课题(15QT02)
关键词
Zn
O∶V薄膜
射频磁控溅射
掺氧量
缺陷态
ZnO：V thin film
RF magnetron sputtering
oxygen content
defect state
