摘要
利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)进行ZrO_2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO_2薄膜ALD的最佳工艺条件。分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响。以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H_2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO_2薄膜。
Study on process of ZrO2 thin films was carried out by atomic layer deposition （ALD） and the best process condition of ZrO2 thin films ALD was achieved. The effects of pulse and purge time of precursor on the properties of the deposited ZrO2 thin films under low temperature were analysed. The ZrO2 thin films with good uniformity, low surface roughness and high visible light transmittance were prepared by using Tetrakis （dimethylamido） zirconium （TDMAZ） and H2O as precursors.
出处
《人工晶体学报》
CSCD
北大核心
2017年第4期594-598,共5页
Journal of Synthetic Crystals
基金
国家自然科学基金(51402050)
福建省自然科学基金(2017J01733
2015J01654)
关键词
原子层沉积
ZR
O2薄膜
工艺优化
atomic layer deposition
ZrO2 thin film
process optimization
