期刊文献+

矿化剂对莫来石陶瓷影响的研究 被引量:5

在线阅读 下载PDF
导出
摘要 本文以粘土、氧化铝粉及硅酸锆等原料为基础配方,外加一定量的矿化剂设计四组配方,并将其分别在1546℃、1558℃、1575℃、1597℃、1611℃、1633℃下烧制,检测其烧成情况。在1575℃下烧结,试样的吸水率及孔隙率较高,体积密度不低,因而选用1575℃为参考烧成温度。在该温度下,随着配方中的矿化剂含量的增大,试样中的第三相也逐渐升高,第三相的含量为矿化剂含量的两倍;试样的SEM照片显示,随着矿化剂含量的升高,莫来石及第三相晶体发育的愈大,试样的强度也逐步提高,3#配方的强度最高,而4#配方的强度保持率最高。
出处 《佛山陶瓷》 2016年第2期14-17,共4页 Foshan Ceramics
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献23

  • 1Strukov B A, Levanyuk A P. Ferroelectric Phenomena in Crystals [ M ]. Berlin:Springer, 1998:95 -132.
  • 2Hoffmann S,Waser R. Curie-Weiss Law of ( Ba1-x Srx ) TiO3 Thin Films Prepared by Chemical Solution Deposition [ J ]. J Phys IV France, 1998 ( 8 ) : 221 - 224.
  • 3Boikov Y A,Claeson T. Impact of Domain Wall Displacements on the Dielectric Permittivity of Epitaxial Bao.5 Sro.sTiO3 Films[ J ]. J Appl Phys ,2001,89 ( 13 ) :2052 - 2054.
  • 4Ihlefeld J F, Vodnick A M, Baker S P, et al. Extrinsic Scaling Effects on the Dielectric Response of Ferroelectric Thin Films [ J ] J Appl Phys,2008,103 ( 7 ) : 112 - 117.
  • 5Zhang L, Zhai J W, Yao X. Dielectric Properties of Electrophoretically Deposited and Isothermally Pressed BaTiO3 Thick Films [ J ]. J Am Ceram Soc,2008,91 ( 6 ) : 2075 - 2077.
  • 6Y u Z, Ang C, Guo R Y, et al. Ferroelectric-relaxor Behavior of Ba ( Tio. 7 Zr0.3 ) 03 Ceramics [ J ]. J Appl Phys, 2002,92 ( 5 ) : 2655 - 2657.
  • 7Jing Z, Ang C, Yu Z, et al. Dielectric Properties of Ba ( Ti1- yYy ) 03 Ceramics [ J ]. J Appl Phys, 1998,84 ( 2 ) :983 - 986.
  • 8喻惠武,朱卫利,李立本,等.锆掺杂的钛酸钡制备及介电性质研究[J].电子科技大学学报,2011,40(suppl):201—203.
  • 9Pertsev N A,Zembilgotov A G,Tagantsev A K. Effect of Mechanical Boundary Conditions on Phase Diagrams of Epitaxial Ferroelectric Thin Films [ J ]. Phys Rev Lett, 1998,80 ( 3 ) : 1988 - 199 1.
  • 10Tagantsev A K,Pertsev N A, Murah P, et al. Strain-induced Diffuse Dielectric Anomaly and Critical Point in Perovskite Ferroelectric Thin Films[J] Phys Rev B ,2001,65 ( 1 ) :2 - 5.

共引文献4

同被引文献49

引证文献5

二级引证文献24

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部