摘要
采用化学气相沉积法合成了In掺杂ZnO纳米带,并对其进行了X射线衍射、光致发光及透射电镜表征.基于单根纳米带,采用廉价微栅模板法制备了背栅场效应管,利用半导体参数测试仪测量了场效应管的输出(Ids-Vds)和转移(Ids-Vgs)特性,得出相关电学参数,其中迁移率值为622 cm2·V-1·s-1,该值明显优于包括ZnO在内的大多数材料;讨论了迁移率提高的可能原因.
Back-gate field effect transistors based on In-doped ZnO individual nanobelts have been fabricated using the lowcost microgrid template method. The output（Ids-Vds） and transfer（Ids-Vgs） characteristic curves for the transistors are measured, and the mobility is derived to be 622 cm2·V-1·s-1. This value is obviously superior to those for most of materials including pure ZnO in the literature, and possible influence factors have also been discussed.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第19期314-319,共6页
Acta Physica Sinica
基金
国家自然科学基金(批准号:11074060
51172058)
黑龙江省教育厅科学技术重点研究项目(批准号:12521z012)
黑龙江省研究生创新科研项目(2013)资助的课题~~
关键词
ZNO
纳米带
场效应管
迁移率
ZnO
nanobelt
field effect transistor
mobility
