摘要
介绍了一种频率为1.8GHz的低噪声放大器(LNA)的设计方案,采用TSMC 0.35μm CMOS工艺实现,增益为25dB,噪声系数2.56dB,功耗≤10mW,IIP3为-25dB或5dBm。
This paper presents the implementation of 1.8GHz LNA in TSMC 0.35mm CMOS.The gain is 25dB,noise figure is 2.56dB,power consumption is less than or equal to 10mW,IIP3 is -25dB or 5dBm.Key words: low noise amplifier;CMOS;spiral inductor
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第8期46-49,57,共5页
Semiconductor Technology
基金
上海市科委PCD专项基金计划资助(017015030)