摘要
研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。
The Si lateral etching with SF 6+O 2 mixed plasma and SiO 2+Al as a mask is investigated.The experimental results show that Al is good mask to resist SF 6+O 2 plasma.So the bigger openings can be formed under the being suspended devices.As a result,the MEMS RF/MW passive devices with the lateral dimension of hundreds microns and good high frequency performance,such as switch,transmission line,inductor and capacitor,could be integrated on the silicon substrate by this technology.
出处
《微细加工技术》
2002年第2期38-40,52,共4页
Microfabrication Technology
基金
上海市科委AM基金资助项目 (1998年度 )
国家自然科学基金资助项目 (6 9876 0 12 )
高校博士点专项基金资助项目 (1998年度 )
国家 973项目<集成微光机电系统研究>资助项目 (G199903310 5 )
