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微波放大器自激振荡的分析定位

Location of the Self- Oscillation on a Microwave Amplifier
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摘要 介绍了对一种进口微波放大器在静态条件下产生自激振荡的原因进行分析的案例。在保证不破坏原有现象和尽量保证样品完整性的前提下,采用各种技术手段,成功地进行了分析定位。确定导致样品自激振荡的直接原因是:第3级放大管反馈回路中的电容特性退化。 This paper introduces an analysis case of the abnormal self - oscillation on an imported microwave amplifier under static bias. A successful location was achieved using various techniques and methods, while the abnormal phenomenon was kept and the amplifier was kept as nondestructive as possible. It is confirmed that the degradation of a capacitance is responsible for the abnormal self - oscillation.
作者 来萍 郑廷圭
出处 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第1期9-13,共5页 Electronic Product Reliability and Environmental Testing
关键词 微波放大器 自激振荡 分析定位 可靠性 microwave amplifier self - location analysis and location
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参考文献2

  • 1胡见堂 谭博文.固态高频电路[M].长沙:国防科技大学出版社,1986..
  • 2SY利奥.微波器件和电路[M].北京:科学出版社,1987..

共引文献1

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