摘要
本文评述了Hg_(1-x)Cd_xTe的不稳定性,对比分析了含电子元素Zn或磁性元素Fe、Mn的三元化合物以及超晶格结构Hg_(1-x)Cd_xTe的稳定性,并报道了用X衍射、俄歇电子谱(AES)及光电子能谱(XPS)分析MCT表面层阳极氧化状态,考查了清洗条件影响和Hg-O关联的一些实验结果。比较研究的结果表明,在发展新材料方面,以(HgZn)Te近期应用的优势最大。与此同时,在MCT生长条件和表面状态的进一步研究方面,以改善材料稳定性和器件光电特性为主的课题仍具有相当潜力。
出处
《红外技术》
CSCD
1989年第3期5-11,共7页
Infrared Technology
基金
四川省科委应用基础研究支持项目
