GaN外延衬底材料LiGaO2晶体的生长缺陷

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摘要 LiGaO2与GaN的晶格失配率只有0．2％，是一很有潜力的蓝光衬底材料。本文利用化学侵蚀、光学显微镜、透射电子显微镜对晶体中的缺陷进行了分析，研究了生长参数、原料化学配比对晶体质量的影响及其和晶体中缺陷形成的关系。TEM分析表明，由于原料近非化学计量比挥发致使组份偏离，容易产生γ－Ga2O3包裹物。包裹物和位错形成具有一定的相互促进作用。X射线貌相分析发现提拉法生长LiGaO2晶体中易于形成平行于（001）面的亚晶界，这可能和其沿[001]方向的极性有关。

作者徐科田玉莲等

机构地区中国科学院上海光学机密机械研究所中国科学院北京高能物理研究所

出处《北京同步辐射装置年报》 1998年第1期36-39,共4页

关键词 GAN 外延衬底材料 LiGaO2晶体 X射线貌相术氮化镓 TEM 外延生长

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学] TN304.054 [电子电信—物理电子学]

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