摘要
对于弱耦合掺杂GaAs/AlAs超晶格 ,采用分立漂移模型 ,数值模拟和分析直流偏压下超晶格中单极电场畴形成的动态行为和物理机制 ,并分析了弱耦合掺杂超晶格的电流自激振荡现象 .
The discrete drift model of superlattices is taken into account to investigate the formation and transportation in a n-doped weakly coupled semiconductor superlattices under dc voltage bias. Numerical simulation interprets the dynamic properties of the monopole domains clearly. The current periodic oscillations are also analyzed in detail.
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期619-622,共4页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
教育部高等学校骨干教师资助项目
关键词
电场畸形
电流自激振荡
数值模拟
超晶格
输运过程
electric-field domains
self-sustained current oscillations
numerical simulation
superlattices
