摘要
报道了经较强激发光辐照后的多孔硅呈现出的独特拉曼光谱性质。其一阶拉曼峰随着激发光功率的不同而变化。当激发光功率增大时 ,其峰位逐渐红移 ,同时峰的宽度变大。这种变化是可逆的。
The Porous Silicon(PS) radiated by more power laser showed a unique Raman property.First order Raman peak of the PS changed with exiting laser intensity.The peak shifted to lower frequency and peak width became larger when exiting laser power increased.This procedure is reversible. The possible mechanism was discussed.
出处
《光谱实验室》
CAS
CSCD
2001年第5期689-691,共3页
Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory
基金
广东自然科学基金 (974133)
广东省重点科技项目 (2 KM0 45 0 2 S)
广东高校自然科学科研项目 (2 0 0 0 18)资助课题
