摘要
联栅晶体管(简称GAT)是具有高速高反压低饱和压降性能的功率开关器件,它是一种双极型晶体管的改进型结构。它有一个特殊的基区,基区一部分做得较深,其杂质浓度较其他部分为高。这一基区中伸出部分相当于JFET的栅,接近基区的集电区相当于源,远离基区的那部分集电区相当于漏,两栅之间的集电区作为沟道,基区其他部分作为普通NPN晶体管的基区作用。联栅晶体管克服了高反压与高频之间的矛盾,同时使得在较低的电阻率情况下得到较高的BV_(ceo)。
出处
《科技通报》
1991年第3期179-180,共2页
Bulletin of Science and Technology
