摘要
本文概述强功率毫微秒脉冲源在军事方面的意义,并报导一项重掺杂硅光导开关的研制成果:在直流偏置条件下50Ω负载上获得脉宽为10ns,1kV的脉冲输出。
We report here the progress on developing Au:Si-PCSS in our laboratory. Over 1kV pulsed output on 50 load with 10ns width has been achieved under DC bias. Also the importance of high power nanosecond pulsed power source for military applications has been revealed.
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第5期51-53,56,共4页
Laser & Infrared
基金
机电部自然科学基金
浙江省科委重点项目资助课题
关键词
脉冲源
光导开关
冲击雷达
毫微秒
photoconductive switch, nanosecond pulsed power source, shock-wave radar
