用阳极氧化和随后热处理法实现HgCdTe,HgZnTe和HgMnTe的p-n转换

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摘要 HgCdTe,HgZnTe和HgMnTe经阳极氧化处理,接着作一次低温退火,形成p-n结。研究了结深与退火时间,温度,本身受主浓度以及材料组分的依赖关系。此结果可以解释为汞扩散到一个有限源的块材中,这种块材是在氧化物和汞基半导体合金间界面处阳极氧化过程中形成的。转换层显示出高的再复合次数,并且此方法可用来制作光导体及光电二极管。

作者陈林李捍东

出处《红外与激光技术》 CSCD 1991年第5期51-53,34,共4页

关键词 P-N结半导体材料阳极氧化热处理

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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