^(13)CO_2同位素激光器——激光雷达新光源被引量：1

下载PDF

导出

摘要本文描述了^(13)CO_2同位素激光器的特性和它在激光雷达、激光驾束制导中的应用。报道了研制的稳频^(13)CO_2同位素激光器,输出单模、偏振,总共25条激光谱线,最大输出功率大于3W。

作者朱大勇张卓勋叶乃群余学才

机构地区电子科技大学

出处《红外与激光技术》 CSCD 1991年第3期14-18,共5页

关键词激光器激光雷达光源同位素

分类号 TN958.98 [电子电信—信号与信息处理]

引文网络
相关文献

引证文献1

1朱大勇.远程多普勒激光雷达[J].红外与激光工程,1996,25(1):8-15. 被引量：4

二级引证文献4

1刘增东,冯巍巍,刘美娟,张骏,江荣熙.一种新型的多普勒调制技术[J].红外与激光工程,2005,34(5):556-559. 被引量：6
2朱大勇.美国固体激光雷达技术新进展[J].红外与激光工程,1997,26(3):57-61. 被引量：4
3刘旭,陈建文,卢常勇,王小兵,程勇.激光雷达逆合成孔径成像技术现状及关键问题[J].红外与激光工程,2009,38(4):642-649. 被引量：4
4曾宪林.靶场测量激光雷达发展综述[J].红外技术,2000,22(5):35-39. 被引量：1

1H.Shirahata,C.S.Fox,尹向泽.三镜腔高功率^(13)C^(16)O_2激光器[J].四川激光,1983,4(1):47-49.
2张建新,陈永平,梁平治.硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究[J].激光技术,2007,31(1):83-85. 被引量：3
3张进城,郝跃,王冲,王峰祥.基于蓝宝石衬底的高性能AlGaN/GaN二维电子气材料与HEMT器件[J].Journal of Semiconductors,2004,25(10):1281-1284. 被引量：1
4陈开茅,金泗轩,贾勇强,吴克,李传义,顾镇南,周锡煌.Nb／C_（60）／p型Si结构的特性[J].Journal of Semiconductors,1994,15(10):716-720. 被引量：4
5谢峰,李德昌.表面态对AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的影响[J].电子科技,2009,22(3):78-80.
6刘超,李国辉,韩德俊.用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合[J].功能材料与器件学报,2000,6(3):236-239.
7李忠辉,李亮,董逊,李赟,张岚,许晓军,姜文海,陈辰.MOCVD生长AlGaN／GaN／Si(111)异质结材料[J].固体电子学研究与进展,2009,29(4):608-610. 被引量：2
8卢励吾,张砚华,GeWeikun,W.Y.Ho,CharlesSurya,K.Y.Tongc.大电流(直流)冲击试验对-族氮化物异质结深电子态的影响[J].Journal of Semiconductors,1999,20(8):667-669.
9张莉莉,任德明,曲彦臣,姜永亮,胡孝勇,刘逢梅.TEA^(13)C^(16)O_2激光器的实验研究[J].中国激光,2005,32(9):1169-1172. 被引量：2
10邓咏桢,孔月婵,郑有炓,周春红,沈波,张荣.硅基AlN应力和压电极化研究[J].稀有金属,2004,28(3):495-498. 被引量：1

红外与激光技术

1991年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

^(13)CO_2同位素激光器——激光雷达新光源被引量：1

引证文献1

二级引证文献4

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

^(13)CO_2同位素激光器——激光雷达新光源 被引量：1

引证文献1

二级引证文献4

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

^(13)CO_2同位素激光器——激光雷达新光源被引量：1