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半导体光电子材料中的缺陷

Defects in Optoelectronic Materials
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摘要 介绍近年来在 族氮化物和 - V化合物缺陷等方面的一些研究进展 .并着重展示对 族氮化物中黄色发光带、纳米管、穿透位错、龟裂和沉积物 ,以及 - V化合物中 Fe杂质和 DX中心能级精细结构等研究的结果 . The progress has been made recently in the investigations of defects in Ⅲ nitrides and Ⅲ V compounds. The works are concentrated on yellow luminescence band, nanopipes, threading dislocations, cracks and precipitates in Ⅲ nitrides, and on fine structures of Fe energy levels and DX centers in Ⅲ V compounds.
出处 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第2期267-276,共10页 Journal of Xiamen University:Natural Science
基金 "8 6 3计划"!(715- 0 10 - 0 0 2 2 ) 国家自然科学基金!(6 9976 0 2 3) 福建省自然科学基金重点!(A0 0 2 0 0 0 1)资助项目
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参考文献19

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